MRF8S21120HSR3

FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS
MRF8S21120HSR3 P1
MRF8S21120HSR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF8S21120HSR3

номер части
MRF8S21120HSR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 65V 2.17GHZ NI780HS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
MRF8S21120HSR3.pdf MRF8S21120HSR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF8S21120HSR3
Статус детали Not For New Designs
Тип транзистора LDMOS
частота 2.17GHz
Усиление 17.6dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 850mA
Выходная мощность 28W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-780S
Пакет устройств поставщика NI-780S

сопутствующие товары

Все продукты