Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF8P20161HSR3

номер части: MRF8P20161HSR3
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 2CH 65V 1.92GHZ NI-780S
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: MRF8P20161HSR3.pdf MRF8P20161HSR3 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	MRF8P20161HSR3
Статус детали	Last Time Buy
Тип транзистора	LDMOS (Dual)
частота	1.92GHz
Усиление	16.4dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	550mA
Выходная мощность	37W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	NI-780S-4
Пакет устройств поставщика	NI-780S-4

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
MRF8P18265HR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8		0	подробности
MRF8P18265HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8	-	0	подробности
MRF8P18265HSR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S8		0	подробности
MRF8P20100HR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4		0	подробности
MRF8P20100HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4		0	подробности
MRF8P20100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4	-	0	подробности
MRF8P20140WGHSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S		0	подробности
MRF8P20140WHR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4		0	подробности
MRF8P20140WHR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4		0	подробности
MRF8P20140WHSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4		0	подробности
MRF8P20140WHSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4		50	подробности
MRF8P20160HR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.92GHZ	-	0	подробности