MRF6VP2600HR6

FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
MRF6VP2600HR6 P1
MRF6VP2600HR6 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF6VP2600HR6

номер части
MRF6VP2600HR6
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRF6VP2600HR6 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF6VP2600HR6
Статус детали Last Time Buy
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 225MHz
Усиление 25dB
Напряжение - испытание 50V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 2.6A
Выходная мощность 125W
Напряжение - Номинальное напряжение 110V
Упаковка / чехол NI-1230
Пакет устройств поставщика NI-1230

сопутствующие товары

Все продукты