MRF6S20010GNR1

FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
MRF6S20010GNR1 P1
MRF6S20010GNR1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF6S20010GNR1

номер части
MRF6S20010GNR1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRF6S20010GNR1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF6S20010GNR1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.17GHz
Усиление 15.5dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 130mA
Выходная мощность 10W
Напряжение - Номинальное напряжение 68V
Упаковка / чехол TO-270-2 Gull Wing
Пакет устройств поставщика TO-270-2 GULL

сопутствующие товары

Все продукты