MRF6S19120HSR3

FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S
MRF6S19120HSR3 P1
MRF6S19120HSR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF6S19120HSR3

номер части
MRF6S19120HSR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRF6S19120HSR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF6S19120HSR3
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 1.99GHz
Усиление 15dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1A
Выходная мощность 19W
Напряжение - Номинальное напряжение 68V
Упаковка / чехол NI-780S
Пакет устройств поставщика NI-780S

сопутствующие товары

Все продукты