Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF5S21150HR5

номер части: MRF5S21150HR5
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: MRF5S21150HR5.pdf MRF5S21150HR5 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	MRF5S21150HR5
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.11GHz ~ 2.17GHz
Усиление	12.5dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.3A
Выходная мощность	33W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	NI-880
Пакет устройств поставщика	NI-880

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
MRF5S18060NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 1.88GHZ TO-272-4	-	подробности
MRF5S18060NR1	NXP USA Inc.	FET RF 1.88GHZ TO-270-4	-	подробности
MRF5S19060MBR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4	-	подробности
MRF5S19060MR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4	-	подробности
MRF5S19060NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4	-	подробности
MRF5S19060NR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4	-	подробности
MRF5S19090HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	-	подробности
MRF5S19090HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	-	подробности
MRF5S19090HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S	-	подробности
MRF5S19090HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S	-	подробности
MRF5S19100HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	-	подробности
MRF5S19100HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	-	подробности