MRF282SR1

FET RF 65V 2GHZ NI-200S
MRF282SR1 P1
MRF282SR1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF282SR1

номер части
MRF282SR1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 65V 2GHZ NI-200S
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRF282SR1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF282SR1
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 2GHz
Усиление 11.5dB
Напряжение - испытание 26V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 75mA
Выходная мощность 10W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-200S
Пакет устройств поставщика NI-200S

сопутствующие товары

Все продукты