MRF085HR3

WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
MRF085HR3 P1
MRF085HR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MRF085HR3

номер части
MRF085HR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRF085HR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF085HR3
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 1.8MHz ~ 1.215GHz
Усиление 25.6dB
Напряжение - испытание 50V
Текущий рейтинг 2µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 100mA
Выходная мощность 85W
Напряжение - Номинальное напряжение 133V
Упаковка / чехол NI-650H-4L
Пакет устройств поставщика NI-650H-4L

сопутствующие товары

Все продукты