| номер части | MMRF1006HSR5 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 450MHz |
| Усиление | 20dB |
| Напряжение - испытание | 50V |
| Текущий рейтинг | - |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 150mA |
| Выходная мощность | 1000W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 120V |
| Упаковка / чехол | NI-1230S-4 |
| Пакет устройств поставщика | NI-1230S-4 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 | 0 | подробности | |
 |
MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | 0 | подробности | |
 |
MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 | 0 | подробности | |
|
MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S | 0 | подробности | |
 |
MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230 | 50 | подробности | |
|
MMRF1006HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S | 0 | подробности | |
|
MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 | 0 | подробности | |
|
MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | 0 | подробности | |
|
MMRF1008GHR5 | NXP USA Inc. | PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER | - | 287 | подробности |
 |
MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 | 0 | подробности | |
|
MMRF1008HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S | 0 | подробности | |
 |
MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S | 0 | подробности |
