| номер части | MHT1004GNR3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 2.45GHz |
| Усиление | 15.2dB |
| Напряжение - испытание | 32V |
| Текущий рейтинг | 10µA |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 100mA |
| Выходная мощность | 280W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | OM-780G-2L |
| Пакет устройств поставщика | OM-780G-2L |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MHT1000HR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ NI880 | 0 | подробности | |
 |
MHT1001HR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ | 0 | подробности | |
 |
MHT1002GNR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 915MHZ 780-4GW | - | 0 | подробности |
 |
MHT1002NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 915MHZ 780-4 | - | 0 | подробности |
|
MHT1003NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ | 0 | подробности | |
|
MHT1004GNR3 | NXP USA Inc. | RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450 | - | 499 | подробности |
|
MHT1004NR3 | NXP USA Inc. | RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2450 | - | 505 | подробности |
 |
MHT1006NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W | 0 | подробности | |
|
MHT1008NT1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ | 0 | подробности | |
|
MHT1108NT1 | NXP USA Inc. | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO | - | 8881 | подробности |
