| номер части | BLF6G27LS-50BN,112 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | LDMOS (Dual) |
| частота | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Усиление | 16.5dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | 12A |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 430mA |
| Выходная мощность | 3W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | SOT-1112B |
| Пакет устройств поставщика | CDFM6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G20-110,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20-180PN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20-180RN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A | 0 | подробности | |
|
BLF6G20-230P | NXP USA Inc. | IC BASESTATION FINAL SOT502A | - | 0 | подробности |
 |
BLF6G20-230PRN,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20-230PRN,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20-40,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | 30 | подробности | |
 |
BLF6G20-45,135 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20LS-110,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | 0 | подробности | |
 |
BLF6G20LS-110,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | 0 | подробности |
