| номер части | BLF4G10-160,112 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 894MHz |
| Усиление | 19.7dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | 15A |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 900mA |
| Выходная мощность | 160W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | SOT-502A |
| Пакет устройств поставщика | LDMOST |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BLF4G10-160,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A | 0 | подробности | |
|
BLF4G10LS-120,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ SOT502B | 0 | подробности | |
|
BLF4G10LS-160,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B | 0 | подробности | |
|
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | 0 | подробности | |
|
BLF4G20LS-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | 0 | подробности | |
|
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | 0 | подробности | |
|
BLF4G20S-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | 0 | подробности | |
|
BLF4G22LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | 0 | подробности | |
|
BLF4G22S-100,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | 0 | подробности |
