Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ BLF1820-90,112

номер части: BLF1820-90,112
производитель: NXP USA Inc.
Описание: TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BLF1820-90,112.pdf BLF1820-90,112 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	BLF1820-90,112
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	2GHz
Усиление	11dB
Напряжение - испытание	26V
Текущий рейтинг	12A
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	750mA
Выходная мощность	90W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	SOT-502A
Пакет устройств поставщика	LDMOST

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BLF1820-90,112	NXP USA Inc.	TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A		0	подробности
BLF1822-10,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C		0	подробности
BLF182XRSU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B		60	подробности
BLF182XRU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B		87	подробности
BLF183XRSU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B		40	подробности
BLF183XRU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121A	-	194	подробности
BLF184XRGJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C		100	подробности
BLF184XRGQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C		0	подробности
BLF184XRSU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B		29	подробности
BLF184XRU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A		71	подробности
BLF188XRGJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C		0	подробности
BLF188XRSU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B		0	подробности