Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ AFT26H200W03SR6

номер части: AFT26H200W03SR6
производитель: NXP USA Inc.
Описание: FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: AFT26H200W03SR6.pdf AFT26H200W03SR6 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	AFT26H200W03SR6
Статус детали	Active
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.5GHz
Усиление	14.1dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	-
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	500mA
Выходная мощность	45W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	NI-1230S-4
Пакет устройств поставщика	NI-1230S-4

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
AFT26H050W26SR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4		подробности
AFT26H160-4S4R3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4		подробности
AFT26H200W03SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4		подробности
AFT26H250-24SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4		подробности
AFT26H250W03SR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4		подробности
AFT26HW050GSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4		подробности
AFT26HW050SR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4		подробности
AFT26P100-4WGSR3	NXP USA Inc.	TRANS RF 2.6GHZ 100W NI780S-6	-	подробности
AFT26P100-4WSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780S-6		подробности