AFT23H200-4S2LR6

FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
AFT23H200-4S2LR6 P1
AFT23H200-4S2LR6 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ AFT23H200-4S2LR6

номер части
AFT23H200-4S2LR6
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
AFT23H200-4S2LR6.pdf AFT23H200-4S2LR6 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части AFT23H200-4S2LR6
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 2.3GHz
Усиление 15.3dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 500mA
Выходная мощность 45W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-1230-4LS2L
Пакет устройств поставщика NI-1230-4LS2L

сопутствующие товары

Все продукты