AFT18P350-4S2LR6

FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
AFT18P350-4S2LR6 P1
AFT18P350-4S2LR6 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ AFT18P350-4S2LR6

номер части
AFT18P350-4S2LR6
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
AFT18P350-4S2LR6.pdf AFT18P350-4S2LR6 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части AFT18P350-4S2LR6
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 1.81GHz
Усиление 16.1dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 1A
Выходная мощность 63W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол NI-1230-4LS2L
Пакет устройств поставщика NI-1230-4LS2L

сопутствующие товары

Все продукты