A2T27S020GNR1

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T27S020GNR1 P1
A2T27S020GNR1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2T27S020GNR1

номер части
A2T27S020GNR1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- A2T27S020GNR1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2T27S020GNR1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 400MHz ~ 2.7GHz
Усиление 21dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 185mA
Выходная мощность 20W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол TO-270BA
Пакет устройств поставщика TO-270-2 GULL

сопутствующие товары

Все продукты