A2I25H060NR1

IC RF LDMOS AMP
A2I25H060NR1 P1
A2I25H060NR1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2I25H060NR1

номер части
A2I25H060NR1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
IC RF LDMOS AMP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
A2I25H060NR1.pdf A2I25H060NR1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2I25H060NR1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 2.59GHz
Усиление 26.1dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 26mA
Выходная мощность 10.5W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол TO-270-17 Variant, Flat Leads
Пакет устройств поставщика TO-270WB-17

сопутствующие товары

Все продукты