| номер части | PMV32UP/MIR |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15.5nC @ 4.5V |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1890pF @ 10V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 510mW (Ta), 4.15W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB |
| Упаковка / чехол | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 | - | 0 | подробности |
 |
PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT23 | 81000 | подробности | |
|
PMV30UN2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB | - | 699746 | подробности |
 |
PMV30XN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23 | - | 0 | подробности |
 |
PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V TO-236AB | 0 | подробности | |
 |
PMV31XN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 | - | 0 | подробности |
 |
PMV32UP,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 | 0 | подробности | |
|
PMV32UP/MIR | Nexperia USA Inc. | SMALL SIGNAL MOSFET | - | 6333 | подробности |
 |
PMV33UPE,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB | 9000 | подробности | |
|
PMV35EPER | Nexperia USA Inc. | PMV35EPE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T | 0 | подробности | |
 |
PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 | - | 0 | подробности |
 |
PMV37EN2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT23 | 15000 | подробности |
