| номер части | BSP61,115 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | PNP - Darlington |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 1A |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 60V |
| Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 50nA |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| Мощность - макс. | 1.25W |
| Частота - переход | 200MHz |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-261-4, TO-261AA |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 | - | 2000 | подробности |
 |
BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | подробности | |
 |
BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | подробности |
