| номер части | MSMBJ8.0AE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип | Zener |
| Однонаправленные каналы | 1 |
| Двунаправленные каналы | - |
| Напряжение - обратная остановка (тип) | 8V |
| Напряжение - пробой (мин) | 8.89V |
| Напряжение - Зажим (макс.) @ Ipp | 13.6V |
| Ток - пиковый импульс (10/1000 мкс) | 44.1A |
| Мощность - пиковый импульс | 600W |
| Защита линии электропередачи | No |
| Приложения | General Purpose |
| Емкость @ Частота | - |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AA, SMB |
| Пакет устройств поставщика | SMBJ (DO-214AA) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSMBG100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | подробности |
 |
MSMBG110CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA | - | 0 | подробности |
