MSMBJ12AE3

TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA
MSMBJ12AE3 P1
MSMBJ12AE3 P2
MSMBJ12AE3 P1
MSMBJ12AE3 P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ MSMBJ12AE3

номер части
MSMBJ12AE3
производитель
Microsemi Corporation
Описание
TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MSMBJ12AE3 PDF online browsing
семья
TVS - диоды
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MSMBJ12AE3
Статус детали Active
Тип Zener
Однонаправленные каналы 1
Двунаправленные каналы -
Напряжение - обратная остановка (тип) 12V
Напряжение - пробой (мин) 13.3V
Напряжение - Зажим (макс.) @ Ipp 19.9V
Ток - пиковый импульс (10/1000 мкс) 30.2A
Мощность - пиковый импульс 600W
Защита линии электропередачи No
Приложения General Purpose
Емкость @ Частота -
Рабочая Температура -65°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол DO-214AA, SMB
Пакет устройств поставщика SMBJ (DO-214AA)

сопутствующие товары

Все продукты