MRF581G

TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
MRF581G P1
MRF581G P2
MRF581G P3
MRF581G P1
MRF581G P2
MRF581G P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ MRF581G

номер части
MRF581G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
TRANS NPN 18V 200MA MACRO X
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MRF581G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MRF581G
Статус детали Obsolete
Тип транзистора NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 18V
Частота - переход 5GHz
Шум (дБ Тип @ f) 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Усиление 13dB ~ 15.5dB
Мощность - макс. 1.25W
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200mA
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол Micro-X ceramic (84C)
Пакет устройств поставщика Micro-X ceramic (84C)

сопутствующие товары

Все продукты