| номер части | JANTXV1N6309US/TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Напряжение - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
| Толерантность | ±5% |
| Мощность - макс. | 500mW |
| Импеданс (макс.) (Zzt) | 30 Ohms |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100µA @ 1V |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.4V @ 1A |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SQ-MELF, B |
| Пакет устройств поставщика | B, SQ-MELF |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
JANTXV1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JANTXV1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
