| номер части | JAN1N5615US |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 800mV @ 3A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 150ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 500µA @ 200V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SQ-MELF, A |
| Пакет устройств поставщика | D-5A |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | подробности |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
|
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | подробности |
