APTM50H10FT3G

MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
APTM50H10FT3G P1
APTM50H10FT3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTM50H10FT3G

номер части
APTM50H10FT3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTM50H10FT3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTM50H10FT3G
Статус детали Active
Тип полевого транзистора 4 N-Channel (H-Bridge)
Функция FET Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 37A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 96nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 4367pF @ 25V
Мощность - макс. 312W
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP3
Пакет устройств поставщика SP3

сопутствующие товары

Все продукты