APTGT200DA170D3G

IGBT 1700V 400A 1250W D3
APTGT200DA170D3G P1
APTGT200DA170D3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT200DA170D3G

номер части
APTGT200DA170D3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1700V 400A 1250W D3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGT200DA170D3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT200DA170D3G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 400A
Мощность - макс. 1250W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 17nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол D-3 Module
Пакет устройств поставщика D3

сопутствующие товары

Все продукты