APTGLQ100H65T3G

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ100H65T3G P1
APTGLQ100H65T3G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGLQ100H65T3G

номер части
APTGLQ100H65T3G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
POWER MODULE - IGBT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGLQ100H65T3G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGLQ100H65T3G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 135A
Мощность - макс. 350W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика SP3F

сопутствующие товары

Все продукты