APTGFQ25H120T2G

IGBT 1200V 40A 227W MODULE
APTGFQ25H120T2G P1
APTGFQ25H120T2G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGFQ25H120T2G

номер части
APTGFQ25H120T2G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
APTGFQ25H120T2G.pdf APTGFQ25H120T2G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGFQ25H120T2G
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT NPT and Fieldstop
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 40A
Мощность - макс. 227W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2.02nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол SP2
Пакет устройств поставщика SP2

сопутствующие товары

Все продукты