Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGF50A120T1G

номер части: APTGF50A120T1G
производитель: Microsemi Corporation
Описание: IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: APTGF50A120T1G.pdf APTGF50A120T1G PDF online browsing
семья: Транзисторы - IGBT - Модули

номер части	APTGF50A120T1G
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	NPT
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	75A
Мощность - макс.	312W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.45nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SP1
Пакет устройств поставщика	SP1

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
APTGF100A1202G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP2		подробности
APTGF100A120T3AG	Microsemi Corporation	MOD IGBT NPT 1200V 130A SP3		подробности
APTGF100A120T3WG	Microsemi Corporation	IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3	-	подробности
APTGF100A120TG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4		подробности
APTGF100DA120T1G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 130A 735W SP1		подробности
APTGF100DA120TG	Microsemi Corporation	IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4		подробности
APTGF100DU120TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE NPT DUAL 1200V SP4		подробности
APTGF100SK120TG	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 135A 568W SP4		подробности
APTGF150A120T3AG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3		подробности
APTGF150A120T3WG	Microsemi Corporation	IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3		подробности
APTGF150A120TG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4		подробности
APTGF150A60T3AG	Microsemi Corporation	MOD IGBT NPT 600V 230A SP3		подробности