| номер части | APTDF200H100G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 1000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 255A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 2.7V @ 200A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SP6 |
| Пакет устройств поставщика | SP6 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
APTDF100H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | - | 0 | подробности |
|
APTDF100H1201G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | 0 | подробности | |
|
APTDF100H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | 0 | подробности | |
|
APTDF100H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | - | 0 | подробности |
|
APTDF100H20G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | - | 0 | подробности |
|
APTDF100H601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | - | 0 | подробности |
|
APTDF100H60G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | 0 | подробности | |
|
APTDF200H100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | - | 0 | подробности |
|
APTDF200H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | - | 0 | подробности |
|
APTDF200H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | - | 0 | подробности |
|
APTDF200H20G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | - | 0 | подробности |
 |
APTDF200H60G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | - | 100 | подробности |
