| номер части | APTDC20H1201G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 20A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.8V @ 20A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 400µA @ 1200V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SP1 |
| Пакет устройств поставщика | SP1 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
APTDC10H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | 0 | подробности | |
|
APTDC20H1201G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | - | 0 | подробности |
|
APTDC20H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | - | 0 | подробности |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | - | 0 | подробности |
 |
APTDC40H601G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | - | 0 | подробности |
|
APTDC902U601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | - | 0 | подробности |
