Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTC90DSK12T1G

номер части: APTC90DSK12T1G
производитель: Microsemi Corporation
Описание: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: APTC90DSK12T1G.pdf APTC90DSK12T1G PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

номер части	APTC90DSK12T1G
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	2 N Channel (Dual Buck Chopper)
Функция FET	Super Junction
Слив к источнику напряжения (Vdss)	900V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	30A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	270nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6800pF @ 100V
Мощность - макс.	250W
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SP1
Пакет устройств поставщика	SP1

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
APTC90AM602G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2	-	подробности
APTC90AM60SCTG	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4	-	подробности
APTC90AM60T1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1	-	подробности
APTC90DAM60CT1G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 900V 59A SP1	-	подробности
APTC90DAM60T1G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 900V 59A SP1	-	подробности
APTC90DDA12T1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1		подробности
APTC90DSK12T1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1		подробности
APTC90H12SCTG	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4	-	подробности
APTC90H12T1G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1	-	подробности
APTC90H12T2G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2		подробности
APTC90HM60T3G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3	-	подробности
APTC90SKM60CT1G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 900V 59A SP1	-	подробности