APT50GP60J

IGBT 600V 100A 329W SOT227
APT50GP60J P1
APT50GP60J P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APT50GP60J

номер части
APT50GP60J
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 600V 100A 329W SOT227
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APT50GP60J PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APT50GP60J
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT PT
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100A
Мощность - макс. 329W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 5.7nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика ISOTOP®

сопутствующие товары

Все продукты