| номер части | APT35GT120JU2 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 1200V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 55A |
| Мощность - макс. | 260W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 5mA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 2.53nF @ 25V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | ISOTOP |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT35DL120HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV SOT227 | 0 | подробности | |
 |
APT35GA90B | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO-247 | - | 30 | подробности |
 |
APT35GA90BD15 | Microsemi Corporation | IGBT 900V 63A 290W TO247 | - | 82 | подробности |
 |
APT35GN120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO247 | - | 93 | подробности |
 |
APT35GN120L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 94A 379W TO264 | - | 75 | подробности |
 |
APT35GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TMAX | - | 30 | подробности |
 |
APT35GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | - | 27 | подробности |
 |
APT35GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | - | 14 | подробности |
 |
APT35GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 284W SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT35GT120JU2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT35GT120JU3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 55A 260W SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT35SM70B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 700V TO247 | - | 16634 | подробности |
