2N5416UA/TR

POWER BJT
2N5416UA/TR P1
2N5416UA/TR P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ 2N5416UA/TR

номер части
2N5416UA/TR
производитель
Microsemi Corporation
Описание
POWER BJT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- 2N5416UA/TR PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 2N5416UA/TR
Статус детали Active
Тип транзистора PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 300V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 2V @ 5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 50µA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Мощность - макс. -
Частота - переход -
Рабочая Температура -65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 4-SMD, No Lead
Пакет устройств поставщика UA

сопутствующие товары

Все продукты