| номер части | 1N824E3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Напряжение - Zener (Nom) (Vz) | 5.9V |
| Толерантность | ±5% |
| Мощность - макс. | 500mW |
| Импеданс (макс.) (Zzt) | 15 Ohms |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 2µA @ 3V |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | - |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 175°C |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Пакет устройств поставщика | DO-7 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N8024-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 | 9 | подробности | |
 |
1N8026-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 | 1 | подробности | |
 |
1N8028-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 | 0 | подробности | |
 |
1N8030-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | 9 | подробности | |
 |
1N8031-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 | 0 | подробности | |
 |
1N8032-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 | 4 | подробности | |
 |
1N8033-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 | 0 | подробности | |
 |
1N8034-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 | 0 | подробности | |
 |
1N8035-GA | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 | 2 | подробности | |
 |
1N8147 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | подробности |
|
1N8147US | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3002 | подробности |
|
1N8148 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 3023 | подробности |
