MT44K64M18RB-083F:A

IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
MT44K64M18RB-083F:A P1
MT44K64M18RB-083F:A P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ MT44K64M18RB-083F:A

номер части
MT44K64M18RB-083F:A
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MT44K64M18RB-083F:A PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MT44K64M18RB-083F:A
Статус детали Active
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии DRAM
Размер памяти 1.125Gb (64Mb x 18)
Частота часов 1200MHz
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа 6.67ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.28V ~ 1.42V
Рабочая Температура 0°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты