MT41K512M8V00HWC1-N001

IC DRAM 4G PARALLEL
MT41K512M8V00HWC1-N001 P1
MT41K512M8V00HWC1-N001 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ MT41K512M8V00HWC1-N001

номер части
MT41K512M8V00HWC1-N001
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC DRAM 4G PARALLEL
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MT41K512M8V00HWC1-N001 PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MT41K512M8V00HWC1-N001
Статус детали Obsolete
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - DDR3L
Размер памяти 4Gb (512M x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.283V ~ 1.45V
Рабочая Температура 0°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты