| номер части | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH, RAM |
| Технологии | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Размер памяти | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Частота часов | 533MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 1.8V |
| Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | - | 0 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G DDR2 | - | 0 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | - | 0 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 7985 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 8330 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | Micron Technology Inc. | IC FLASH | - | 0 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH | - | 0 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 6G LPDDR2 6G 162VFBGA | - | 0 | подробности |
|
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | - | 0 | подробности |
