| номер части | MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 4Tb (512G x 8) |
| Частота часов | 333MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT29E4T08CTHBBM5-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ | - | 146 | подробности |
|
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4TBIT 333MHZ 132LBGA | - | 0 | подробности |
|
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4TBIT 333MHZ 132LBGA | - | 0 | подробности |
|
MT29E4T08EYHBBG9-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4TBIT 333MHZ LBGA | - | 0 | подробности |
|
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4TBIT 333MHZ LBGA | - | 0 | подробности |
