| номер части | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH, RAM |
| Технологии | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Размер памяти | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
| Частота часов | 533MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 1.7V ~ 1.9V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 5687 | подробности |
|
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 5728 | подробности |
|
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F | Micron Technology Inc. | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ | - | 4579 | подробности |
|
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR | Micron Technology Inc. | MASSFLASH/LPDDR2 6G | - | 0 | подробности |
