EDB4416BBBH-1DIT-F-R

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4416BBBH-1DIT-F-R P1
EDB4416BBBH-1DIT-F-R P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ EDB4416BBBH-1DIT-F-R

номер части
EDB4416BBBH-1DIT-F-R
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- EDB4416BBBH-1DIT-F-R PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части EDB4416BBBH-1DIT-F-R
Статус детали Obsolete
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - Mobile LPDDR2
Размер памяти 4Gb (256M x 16)
Частота часов 533MHz
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.14V ~ 1.95V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты