ECF840AAACN-C1-Y3

IC DRAM 8G PARALLEL
ECF840AAACN-C1-Y3 P1
ECF840AAACN-C1-Y3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ ECF840AAACN-C1-Y3

номер части
ECF840AAACN-C1-Y3
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC DRAM 8G PARALLEL
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- ECF840AAACN-C1-Y3 PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части ECF840AAACN-C1-Y3
Статус детали Obsolete
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - Mobile LPDDR3
Размер памяти 8Gb (512M x 16)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.14V ~ 1.95V
Рабочая Температура -
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты