FII50-12E

IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
FII50-12E P1
FII50-12E P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ FII50-12E

номер части
FII50-12E
производитель
IXYS
Описание
IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
FII50-12E.pdf FII50-12E PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FII50-12E
Статус детали Obsolete
Тип IGBT NPT
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 50A
Мощность - макс. 200W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 400µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол i4-Pac™-5
Пакет устройств поставщика ISOPLUS i4-PAC™

сопутствующие товары

Все продукты