Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 71V424S15YG

номер части	71V424S15YG
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Asynchronous
Размер памяти	4Mb (512K x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	15ns
Время доступа	15ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	3 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Пакет устройств поставщика	36-SOJ

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
71V416L10BE	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	подробности
71V416L10BE8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	подробности
71V416L10BEG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	подробности
71V416L10BEG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA	0	подробности
71V416L10PHG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	4874	подробности
71V416L10PHG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	0	подробности
71V416L10PHGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	137	подробности
71V416L10PHGI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	0	подробности
71V416L10YG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	подробности
71V416L10YG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	подробности
71V416L10YGI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	подробности
71V416L10YGI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	0	подробности