Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ PTFA261702E V1

номер части: PTFA261702E V1
производитель: Infineon Technologies
Описание: IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PTFA261702E V1.pdf PTFA261702E V1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	PTFA261702E V1
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	2.66GHz
Усиление	15dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	10µA
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	1.8A
Выходная мощность	170W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	2-Flatpack, Fin Leads
Пакет устройств поставщика	H-30275-4

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
PTFA210601EV4R250FTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2		0	подробности
PTFA210601EV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2		0	подробности
PTFA210601F V4	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2		0	подробности
PTFA210601F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2		0	подробности
PTFA210701EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2		0	подробности
PTFA210701EV4T500XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS		0	подробности
PTFA210701EV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2		0	подробности
PTFA210701FV4FWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2		0	подробности
PTFA210701FV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2		0	подробности
PTFA211801E V4	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2		0	подробности
PTFA211801E V4 R250	Infineon Technologies	FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2		0	подробности
PTFA211801E-V5-R0	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2	-	443	подробности