IRFR3518PBF

MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
IRFR3518PBF P1
IRFR3518PBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRFR3518PBF

номер части
IRFR3518PBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRFR3518PBF.pdf IRFR3518PBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRFR3518PBF
Статус детали Not For New Designs
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 38A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 56nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1710pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 18A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика D-Pak
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

сопутствующие товары

Все продукты