IRFH8337TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
IRFH8337TR2PBF P1
IRFH8337TR2PBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRFH8337TR2PBF

номер части
IRFH8337TR2PBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRFH8337TR2PBF.pdf IRFH8337TR2PBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRFH8337TR2PBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 790pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PQFN (5x6)
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN

сопутствующие товары

Все продукты