| номер части | IRFH5110TRPBF |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3152pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5007TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5010TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5020TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | подробности | |
 |
IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | подробности |
